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FZ2400R17HE4B9NPSA1

更新时间： 2024-09-14 05:15:11

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英飞凌 - INFINEON		栅
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FZ2400R17HE4_B9

IHM-Bꢀ模块

IHM-Bꢀmodule

初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1700V

I_{C nom}= 2400A / I_CRM= 4800A

典型应用

TypicalꢀApplications

• HighꢀPowerꢀConverters

• MotorꢀDrives

• 大功率变流器

• 电机传动

电气特性

ElectricalꢀFeatures

• 提高工作结温ꢀT_vjꢀop

• 低开关损耗

• 低ꢀꢀV_CEsat

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• LowꢀV_CEsat

• T_vjꢀopꢀ=ꢀ150°C

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀ交流ꢀꢀꢀ1分钟ꢀꢀꢀ绝缘

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400

• 高爬电距离和电气间隙

• 高功率密度

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• HighꢀPowerꢀDensity

• IHMꢀBꢀ封装

• IHMꢀBꢀHousing

• 铜基板

• CopperꢀBaseꢀPlate

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-11

revision:ꢀ2.4

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