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FZ2400R17HE4B9HOSA2

更新时间： 2024-09-13 20:11:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 559K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FZ2400R17HE4B9HOSA2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9Reach Compliance Code：not_compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.52
外壳连接：ISOLATED集电极-发射极最大电压：1700 V
配置：COMPLEXJESD-30 代码：R-PUFM-X9
湿度敏感等级：1元件数量：3
端子数量：9最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：2100 ns
标称接通时间 (ton)：760 nsBase Number Matches：1

FZ2400R17HE4B9HOSA2 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Modul  
IGBT-Module  
FZ2400R17HE4_B9  
IHM-BꢀModul  
IHM-Bꢀmodule  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1700V  
IC nom = 2400A / ICRM = 4800A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• Highꢀpowerꢀconverters  
• Motorꢀdrives  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• NiedrigesꢀVCEsat  
ElectricalꢀFeatures  
• ExtendedꢀoperatingꢀtemperatureꢀTvjꢀop  
• Lowꢀswitchingꢀlosses  
• LowꢀVCEsat  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
MechanischeꢀEigenschaften  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLeistungsdichte  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
• Highꢀpowerꢀdensity  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• IHMꢀBꢀhousing  
• Kupferbodenplatte  
• Copperꢀbaseꢀplate  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2015-09-29  
revision:ꢀV2.5  
1
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
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