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FZ200R65KF1NOSA1

更新时间： 2024-09-13 14:42:19

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
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10页	158K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

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FZ200R65KF1NOSA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.66
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	400 A
集电极-发射极最大电压：	6300 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	元件数量：	1
端子数量：	5	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	6500 ns
标称接通时间 (ton)：	1120 ns	Base Number Matches：	1

FZ200R65KF1NOSA1 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 200 R 65 KF1

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

T_vj=125°C

6500

6300

5800

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

T_vj=25°C

V_CES

collector-emitter voltage

T_vj=-40°C

_C= 80 °C

_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

200

400

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

400

3,8

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

200

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

400

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

k A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

10,2

5,1

Teilentladungs Aussetzspannung

partial discharge extinction voltage

RMS, f = 50 Hz, Q_PDtyp. 10pC (acc. To IEC 1287)

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

_C= 200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

V_{CE sat}

4,3

4,9

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

5,3

5,9

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 35mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

6,4

7,0

2,8

8,1

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 6300V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

C_ies

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

0,2

I_CES

_CE= 6500V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Dr. Oliver Schilling

date of publication: 2002-07-05

revision/Status: Series 1

approved by: Dr. Schütze 2002-07-05

FZ 200 R65 KF1 (final 1).xls

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