是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | MODULE-5 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.69 | 最大集电极电流 (IC): | 1000 A |
集电极-发射极最大电压: | 6300 V | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X5 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3800 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 6500 ns |
标称接通时间 (ton): | 1120 ns | VCEsat-Max: | 4.9 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FZ250R65KE3 | INFINEON |
功能相似 |
10.4kV isolation |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FZ20-300 | POWERVOLT |
获取价格 |
CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER | |
FZ2400R12HE4_B9 | INFINEON |
获取价格 |
1200V IHM 190mm 单开关 IGBT 模块,配有第四代软开关沟槽/场终止IG | |
FZ2400R12HE4P_B9 | INFINEON |
获取价格 |
TIM | |
FZ2400R12HP4 | INFINEON |
获取价格 |
IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 | |
FZ2400R12HP4_B9 | INFINEON |
获取价格 |
IHM-B module with soft-switching trench-IGBT4 | |
FZ2400R12HP4B9HOSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 3550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 | |
FZ2400R12HP4B9NPSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 3550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 | |
FZ2400R12KE3 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT-modules | |
FZ2400R12KE3_B9 | EUPEC |
获取价格 |
IGBT-modules | |
FZ2400R12KE3B9NOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 3200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |