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FQP46N15

更新时间: 2024-02-13 02:08:03
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 745K
描述
150V N-Channel MOSFET

FQP46N15 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:3.87
Is Samacsys:N雪崩能效等级(Eas):650 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):45.6 A最大漏极电流 (ID):45.6 A
最大漏源导通电阻:0.042 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):210 W最大脉冲漏极电流 (IDM):182.4 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FQP46N15 数据手册

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FQP46N15 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP60NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
STP80NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与FQP46N15相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP46N15-Q FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FQP47P06 FAIRCHILD

获取价格

60V P-Channel MOSFET
FQP47P06 ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-47 A,26 mΩ,TO-220
FQP47P06 UMW

获取价格

种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-60V;持续漏极电流(Id)(在25°C
FQP4N20 FAIRCHILD

获取价格

200V N-Channel MOSFET
FQP4N20J69Z FAIRCHILD

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQP4N20L FAIRCHILD

获取价格

200V LOGIC N-Channel MOSFET
FQP4N20L ONSEMI

获取价格

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,200 V,3.8 A,1.35 Ω,
FQP4N25 FAIRCHILD

获取价格

250V Channel MOSFET
FQP4N25 ROCHESTER

获取价格

3.6A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN