是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 45.6 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 210 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP47P06 | FAIRCHILD |
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60V P-Channel MOSFET |
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FQP47P06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-47 A,26 mΩ,TO-220 |
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FQP47P06 | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压(Vdss):-60V;持续漏极电流(Id)(在25°C |
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FQP4N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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FQP4N20J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQP4N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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FQP4N20L | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,200 V,3.8 A,1.35 Ω, |
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FQP4N25 | FAIRCHILD |
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250V Channel MOSFET |
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FQP4N25 | ROCHESTER |
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3.6A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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FQP4N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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