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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 45.6 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 210 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP47P06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel MOSFET |
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| FQP47P06 | ONSEMI |
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功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-47 A，26 mΩ，TO-220 |
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| FQP47P06 | UMW |
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种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| FQP4N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| FQP4N20J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP4N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQP4N20L | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.35 Ω， |
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| FQP4N25 | FAIRCHILD |
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250V Channel MOSFET |
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| FQP4N25 | ROCHESTER |
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3.6A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| FQP4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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