是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.31 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 52 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 3.8 A |
最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 45 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 15.2 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP4N25 | FAIRCHILD |
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250V Channel MOSFET |
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FQP4N25 | ROCHESTER |
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3.6A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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FQP4N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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FQP4N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQP4N80 | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET |
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FQP4N80 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,800 V,3.9 A,3.6 Ω,TO-220 |
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FQP4N80J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQP4N90 | FAIRCHILD |
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900V N-Channel MOSFET |
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FQP4N90C | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
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FQP4N90C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,900 V,4 A,4.2 Ω,TO-220 |
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