IRL610A

更新时间： 2024-09-07 22:48:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Advanced Power MOSFET

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IRL610A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.3 A	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	33 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL610A 数据手册

IRL610A

FEATURES

BV_DSS= 200 V

R_DS(on)= 0.046Ω

I_D= 3.3 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 200V

Lower R_DS(ON):1.185 (Typ.)

Ω

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

200

3.3

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

2.1

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

3.3

5.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

V/ns

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.26

W/°C

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

°C

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

Units

0.5

3.81

R_θCS

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient

62.5

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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IRL610A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQP4N20L	FAIRCHILD	类似代替	200V LOGIC N-Channel MOSFET

与IRL610A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL610AJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL610J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL610S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 3.3A I(D) \| TO-263AB
IRL610SR	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL610SU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL611	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
IRL620	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL620-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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