IRL610A

更新时间： 2024-11-17 22:48:03

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	237K
描述
Advanced Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRL610A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.3 A	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	33 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL610A 数据手册

IRL610A

FEATURES

BV_DSS= 200 V

R_DS(on)= 0.046Ω

I_D= 3.3 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 200V

Lower R_DS(ON):1.185 (Typ.)

Ω

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

200

3.3

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

2.1

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

3.3

5.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

V/ns

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.26

W/°C

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

°C

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

Units

0.5

3.81

R_θCS

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient

62.5

Rev. B

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

IRL610A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FQP4N20L	FAIRCHILD	类似代替	200V LOGIC N-Channel MOSFET

与IRL610A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL610AJ69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL610J69Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL610S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 3.3A I(D) \| TO-263AB
IRL610SR	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL610SU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL611	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
IRL620	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL620-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

与IRL610A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRL610A

IRL610A 技术参数

IRL610A 数据手册

IRL610A 替代型号

与IRL610A相关器件

与IRL610A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRL610A

IRL610A 技术参数

IRL610A 数据手册

IRL610A 替代型号

与IRL610A相关器件

与IRL610A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？