IRL620PBF

更新时间： 2024-09-14 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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8页	2031K
描述
Power MOSFET

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IRL620PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	11 weeks 3 days	风险等级：	0.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.2 A
最大漏极电流 (ID)：	5.2 A	最大漏源导通电阻：	0.8 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRL620PBF 数据手册

IRL620, SiHL620

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

200

• Repetitive Avalanche Rated

• Logic-Level Gate Drive

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

0.80

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

2.7

COMPLIANT

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

9.6

• Ease of paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRL620PbF

SiHL620-E3

IRL620

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHL620

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

5.2

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

3.3

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.40

125

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.2

E_AR

5.0

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 6.9 mH, R_G= 25 Ω I_AS= 5.2 A (see fig. 12c).

c. I_SD≤ 5.2 A, dV/dt ≤ 120 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91301

S-Pending-Rev. A, 17-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF620PBF	VISHAY	类似代替	Power MOSFET

与IRL620PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL620S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
IRL620S, SiHL620S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL620SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRL620SR	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620STRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620STRLPBF	VISHAY	获取价格	暂无描述
IRL621	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRL624	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL6283MPBF	INFINEON	获取价格	Environmentally Friendly Product
IRL6283MPBF_15	INFINEON	获取价格	Environmentally Friendly Product

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