IRL610SU

更新时间： 2024-11-18 13:02:43

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	237K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, I2PAK-3

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IRL610SU 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	29 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	3.3 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRL610SU 数据手册

IRL610A

FEATURES

BV_DSS= 200 V

R_DS(on)= 0.046Ω

I_D= 3.3 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-220

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 200V

Lower R_DS(ON):1.185 (Typ.)

Ω

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

200

3.3

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

2.1

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

3.3

5.0

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

V/ns

P_D

T_J, T_STG

T_L

0.26

W/°C

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

Maximum Lead Temp. for Soldering

°C

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

Units

0.5

3.81

R_θCS

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient

62.5

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRL611	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
IRL620	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRL620-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-005PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRL620-006	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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