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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 29 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRL620SR | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL620STRL | INFINEON | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRL620STRLPBF | VISHAY | 暂无描述 |
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| IRL621 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRL624 | SAMSUNG | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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|
| IRL6283MPBF | INFINEON | Environmentally Friendly Product |
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