生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.27 | 雪崩能效等级(Eas): | 52 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 3.6 A | 最大漏源导通电阻: | 1.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14.4 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQP4N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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FQP4N20L | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,200 V,3.8 A,1.35 Ω, |
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FQP4N25 | FAIRCHILD |
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250V Channel MOSFET |
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FQP4N25 | ROCHESTER |
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3.6A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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FQP4N50 | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET |
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FQP4N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET |
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FQP4N80 | FAIRCHILD |
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800V N-Channel MOSFET |
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FQP4N80 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,800 V,3.9 A,3.6 Ω,TO-220 |
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FQP4N80J69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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FQP4N90 | FAIRCHILD |
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900V N-Channel MOSFET |
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