5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 52 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14.4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP4N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQP4N20L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.35 Ω， |
|
| FQP4N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V Channel MOSFET |
|
| FQP4N25 | ROCHESTER |
获取价格 |
3.6A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
|
| FQP4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQP4N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQP4N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
|
| FQP4N80 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，3.9 A，3.6 Ω，TO-220 |
|
| FQP4N80J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FQP4N90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
芯片底部填充工艺：提升电子设备可靠性的关键步骤
REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
