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FQP47P06

更新时间： 2024-05-23 22:23:42
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
8页 515K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-47A;Vgs(th)(V):±25;漏源导通电阻:26mΩ@-10V

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R
FQP47P06  
UMW  
-60V P-Channel MOSFET  
Description  
S
This P−Channel enhancement mode power MOSFET is produced  
using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET  
technology has been especially tailored to reduceon−state resistance,  
and to provide superior switching performance and high avalanche  
energy strength. These devices are suitable for switched mode  
power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable  
switching power applications.  
G
D
Features  
P−Channel MOSFET  
V
R
I
DS (V) = -60V  
•
(V = -10V)  
= 26 mW  
•
•
•
•
•
DS(on)  
GS  
= - 47A  
D
Low Gate Charge (Typ. 84 nC)  
Low Crss (Typ. 320 pF)  
100% Avalanche Tested  
°
C Maximum Junction Temperature Rating  
•
175  
°
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
= 25  
(T  
C
C unless otherwise specified)  
Symbol  
Parameter  
FQP47P06  
−60  
Unit  
V
V
Drain−Source Voltage  
Drain Current  
DSS  
I
D
− Continuous (T = 25°C)  
−47  
A
C
− Continuous (T = 100°C)  
−33.2  
−188  
25  
A
C
I
Drain Current (Note 1)  
Gate−Source Voltage  
− Pulsed  
A
DM  
V
GSS  
V
E
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)  
Avalanche Current (Note 1)  
820  
mJ  
A
AS  
AR  
I
−47  
E
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)  
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)  
16  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
−7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
160  
D
C
− Derate above 25°C  
1.06  
W/°C  
°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
−55 to +175  
300  
J
STG  
T
L
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality  
should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature  
2. L = 0.43 mH, I = −47 A, V = −25 V, R = 25 W, Starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
J
3. I ≤ −47 A, di/dt ≤ 300A/ms, V ≤ BV  
, Starting T = 25°C  
SD  
DD  
DSS  
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
Characteristic  
FQP47P06  
0.94  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction−to−Case, Max.  
Thermal Resistance, Case−to−Sink, Typ.  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, Max.  
q
JC  
0.5  
q
CS  
R
62.5  
q
JA  
1
www.umw-ic.com  
UTD Semiconductor Co.,Limited  
 
12345678

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