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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 0.95 | Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released | Samacsys PartID： | 1072671 |
| Samacsys Pin Count： | 3 | Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name： | FQP47P06_1 |
| Samacsys Released Date： | 2019-01-03 13:44:56 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 820 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 47 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 47 A | 最大漏源导通电阻： | 0.026 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 188 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQP4N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQP4N20J69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FQP4N20L | FAIRCHILD |
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200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQP4N20L | ONSEMI |
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功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.35 Ω， |
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| FQP4N25 | FAIRCHILD |
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250V Channel MOSFET |
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| FQP4N25 | ROCHESTER |
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3.6A, 250V, 1.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| FQP4N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQP4N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| FQP4N80 | FAIRCHILD |
获取价格 |
800V N-Channel MOSFET |
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| FQP4N80 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，3.9 A，3.6 Ω，TO-220 |
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