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FLL21E040IK

更新时间： 2024-01-05 16:01:47

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描述
High Voltage - High Power GaAs FET

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FLL21E040IK 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	32 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLL21E040IK 数据手册

FLL21E040IK

High Voltage - High Power GaAs FET

FEATURES

・High Voltage Operation : VDS=28V

・High Gain: 15dB(typ.) at Pout=40dBm(Avg.)

・Broad Frequency Range : 2100 to 2200MHz

・Proven Reliability

DESCRIPTION

The FLL21E040IK is a high power GaAs FET that offers high efficiency,

ease of matching, greater consistency and broad bandwidth for high

power L-band amplifiers. This device is target for high voltage, low

current operation in digitally modulated base station amplifiers. This

product is ideally suited for W-CDMA base station amplifiers while

offering high gain, long term reliability and ease of use.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Item

Symbol

Condition

Rating

-3

83.3

-65 to +175

200

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Channel Temperature

VDS

VGSꢀꢀꢀ Tc=25^oCꢀꢀꢀꢀ

Tstg

Tch

^oC

RECOMMENDED OPERATING CONDITION (Case Temperature Tc=25^oC)

Item

DC Input Voltage

Symbol

VDS

Condition

Limit

<28

Unit

Forward Gate Current

Reverse Gate Current

Channel Temperature

IGF

IGR

Tch

RG=2 Ω

<176

>-15.9

155

^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25^oC)

Item

Symbol Condition

Limit

min. Typ. Max.

Unit

Pinch-Off Voltage

VDS=5V IDS=150mA

IGS=-1.5mA

VDS=28V

IDS(DC)=500mA

Pout=40dBm(Avg.)

note

-0.1

-5

-0.2

-35

-0.5

dBc

^oC/W

Gate-Source Breakdown Voltage

3rd Order Intermodulation Distortion

Power Gain

Drain Efficiency

Adjacent Channel Leakage Power Ratio ACLR

Thermal Resistance Rth

VGSO

IM3

-31

14.0 15.0

ηd

-36

1.6

Channel to Case

1.8

Note 1 : IM3 ACLR and Gain test condition as follows:

IM3 & Gain : fo=2.1325GHz, f1=2.1475GHz W-CDMA(3GPP3.4 12-00) BS-1 64ch

non clipping modulation measured over 3.84MHz at fo-15MHz and fI+15MHz.

ACLR : fo=2.1325GHz W-CDMA(3GPP3.4 12-00) BS-1 64ch non clipping modulation,

measured over 3.84MHz at fo+/-5MHz.

Edition 1.2

Mar 2004

12 3 4 5 6

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