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FLL310IQ-3A

更新时间： 2024-02-24 15:52:30
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页数 文件大小 规格书
5页 376K
描述
High Voltage - High Power GaAs FET

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FLL310IQ-3A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.4其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：8 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：93.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

FLL310IQ-3A 数据手册

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FLL310IQ-3A  
High Voltage - High Power GaAs FET  
FEATURES  
・Push-Pull Configuration  
・High Power Output:30W  
・Excellent Linearity  
・Suitable for class A and class AB operation.  
・High PAE:40%  
DESCRIPTION  
The FLL310IQ-3A is a 30 Watt GaAs FET that employ a push-pull  
design which offers excellent linearity, ease of matching, and greater  
consistency in covering the frequency band of 2.5 to 2.7GHz.  
This new product is ideally suited for use in MMDS design requirements  
as it offers high gain, long term reliability and ease of use.  
EUD stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Case Temperature Tc=25oC)  
Item  
Symbol  
VDS  
Unit  
V
V
Rating  
15  
-5  
107  
-65 to +175  
175  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
GS  
V
PTot  
W
Tstg  
oC  
oC  
ch  
T
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (Case Temperature Tc=25oC)  
Item  
Symbol  
VDS  
IGF  
Condition  
Unit  
V
mA  
mA  
oC  
Limit  
10  
<54.4  
>-17.4  
DC Input Voltage  
Forward Gate Current  
Reverse Gate Current  
W
RG=25  
RG=25W  
IGR  
Operating channel temperature  
Tch  
145  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25oC)  
Limit  
Min. Typ. Max.  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
VDS=5V,VGS=0V  
VDS=5V,IDS=7.2A  
VDS=5V,IDS=720mA  
IGS=-720uA  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
Pinch-off Voltage  
IDSS  
gm  
Vp  
-
1200 1600  
6000  
-2.0 -3.5  
mA  
mS  
V
-
-1.0  
-
Gate-Source Breakdown Voltage  
VGSO  
P1dB  
G1dB  
IDSR  
hadd  
-5.0 -  
44.0 45.0  
-
V
Output Power at 1dB G.C.P.  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Drain Current  
-
dBm  
dB  
A
V DS=10V  
f=2.7GHz  
IDS(DC)=7.0A  
8.0  
9.0  
7.0  
-
-
-
8
-
Note1  
Power-added Efficiency  
3rd Order Intermoduation  
Distortion  
40.0  
%
f=2.7GHz, f=5MHz  
Δ
2-Tone test  
IM3  
-
-40.0  
-
dBc  
Pout=37.0dBm S.C.L.  
Channel to Case  
Thermal Resistance  
Channel Temperature Rise  
Rth  
Δ
Tch Note2  
-
-
1.0  
-
1.4  
100.0  
oC/W  
oC  
Note1: Tested in EUD Test Fixture containing external matching.  
CASE STYLE: IQ  
Note2: ΔTch=10V x IDSR x Rth  
ESD  
Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5kW)  
Edition 1.1  
May 2005  
Class III  
2000 V~  
1
12345

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