生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.4 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | SOURCE | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 15 V | 最大漏极电流 (ID): | 8 A |
FET 技术: | JUNCTION | 最高频带: | L BAND |
JESD-30 代码: | R-CDFM-F4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 93.7 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
FLL351ME | FUJITSU | L-band medium & high power gaas FTEs |
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FLL357ME | EUDYNA | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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FLL400IK-2 | EUDYNA | High Voltage - High Power GaAs FET |
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FLL400IK-2C | EUDYNA | High Voltage - High Power GaAs FET |
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FLL400IP-2 | EUDYNA | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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FLL400IP-3 | ETC | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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