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FLL21E040IK

更新时间: 2024-02-19 23:11:46
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EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 371K
描述
High Voltage - High Power GaAs FET

FLL21E040IK 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.27
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:32 V
FET 技术:JUNCTION最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

FLL21E040IK 数据手册

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FLL21E040IK  
High Voltage - High Power GaAs FET  
IK Package Outline  
Metal-Ceramic Hermetic Package  
PIN ASSIGMENT  
1 : GATE  
2 : SOURCE(Flange)  
3 : DRAIN  
Unit:mm  
5

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