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FLL310IQ-3

更新时间: 2024-01-29 04:00:44
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 245K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET,

FLL310IQ-3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.4其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:15 V最大漏极电流 (ID):8 A
FET 技术:JUNCTION最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4元件数量:1
端子数量:4工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:93.7 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE

FLL310IQ-3 数据手册

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