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FLL2400IU-2C

更新时间： 2024-01-22 01:45:41
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富士通 - FUJITSU 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
L-Band High Power GaAs FET

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FLL2400IU-2C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL2400IU-2C 数据手册

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FLL2400IU-2C  
L-Band High Power GaAs FET  
FEATURES  
• Push-Pull Configuration  
• High Power Output: 240W (Typ.)  
• Broad Frequency Range: 2100 to 2200 MHz.  
• Suitable for class AB operation.  
DESCRIPTION  
The FLL2400IU-2C is a 240 Watt GaAs FET that employs a push-pull design that  
offers ease of matching, greater consistency and a broader bandwidth for high  
power L-band amplifiers. This product is targeted to reduce the size and  
complexity of highly linear, high power base station transmitting amplifiers.  
This new product is well suited for use in W-CDMA and IMT 2000 base station  
amplifiers as it offers high gain, long term reliability and ease of use.  
APPLICATIONS  
• Solid State Base-Station Power Amplifier.  
• W-CDMA and IMT 2000 Communication Systems.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Rating  
Unit  
15  
-5  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
V
V
V
DS  
GS  
Tc = 25°C  
230  
P
W
°C  
°C  
T
T
-65 to +175  
+175  
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 12 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 367 and -161 mA respectively with  
gate resistance of 1.5Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) and case temperature (Tc) should not exceed 145°C and 80°C respectively.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
I
= 5V, V = 0V  
I
A
V
Drain Current  
-
32  
-
DS  
GS  
DSS  
Pinch-Off Voltage  
V
p
= 5V, I = 680mA -0.1 -0.3 -0.5  
DS  
DS  
V
= -6.8mA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Output Power  
-
-
-
-5  
V
GSO  
GS  
V
= 12V  
DS  
f = 2.17 GHz  
= 6.0A  
P
52.8 53.8  
dBm  
out  
I
DS  
Pin = 45.0dBm  
Note 1  
Linear Gain  
10.5  
-
GL  
11.5  
-
dB  
Thermal Resistance  
CASE STYLE: IU  
Channel to Case  
0.45 0.65  
°C/W  
R
th  
Note 1: The RF test are performed using a P.W. = 1msec., Duty Cycle = 20%  
Edition 1.0 Preliminary  
November 2000  
1
1234

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