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FLL300IP-4 PDF预览

FLL300IP-4

更新时间： 2024-11-21 19:47:39
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU /
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IP, 5 PIN

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FLL300IP-4 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：8 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：93.7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

FLL300IP-4 数据手册

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FLL300IP-4  
FEATURES  
• Push-Pull Configuration  
• High PAE: 40% (Typ.)  
• Broad Frequency Range: 3400 to 3600 MHz.  
• Suitable for class A operation.  
DESCRIPTION  
The FLL300IP-4 is a 30 Watt GaAs FET that employs a push-pull design which  
offers ease of matching, greater consistency and a broader bandwidth for high  
power L-band amplifiers. This product is targeted to reduce the size and complexity  
of highly linear, high power base station transmitting amplifiers. This new product is  
uniquely suited for use in Wireless Local Loop (WLL) base station amplifiers as it  
offers high gain, long term reliability and ease of use.  
APPLICATIONS  
• Solid State Base-Station Power Amplifier.  
• WLL Communication Systems.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Rating  
Unit  
15  
-5  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
V
V
V
DS  
GS  
Tc = 25°C  
107  
P
W
°C  
°C  
T
T
-65 to +175  
+175  
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 54.4 and -17.4mA respectively with  
gate resistance of 25Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Drain Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
16  
-
V
V
= 5V, V =0V  
I
A
mS  
V
-
-
12  
DS  
GS  
DSS  
= 5V, I =7.2A  
Transconductance  
gm  
6000  
DS  
DS  
Pinch-Off Voltage  
V
V
I
= 5V, I =720mA  
-1.0 -2.0 -3.5  
p
DS  
DS  
V
GSO  
= -720µA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
-5  
-
-
-
V
dBm  
dB  
GS  
P
1dB  
Output Power at 1 dB G.C.P.  
Power Gain at 1 dB G.C.P.  
43.5 44.5  
V
DS  
= 10V  
f=3.6GHz  
= 6A  
7.0  
G
8.0  
6.0  
40  
1.0  
-
-
1dB  
I
DS  
-
-
-
-
8.0  
-
A
Drain Current  
I
DSR  
η
%
Power-Added Efficiency  
Thermal Resistance  
Channel Temperature Rise  
CASE STYLE: IP  
Note 1  
add  
Channel to Case  
Note 2  
1.4  
80  
°C/W  
°C  
R
th  
∆T  
ch  
G.C.P.: Gain Compression Point  
Note 1: The device shall be measured at a constant V  
condition.  
GS  
Note 2: ∆T = (10V x I  
- P + P ) x R  
ch  
DSR  
out in th  
Edition 1.4  
December 1999  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FLL310IQ-3 FUJITSU

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