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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| FLL300IP-4 | FUJITSU | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| FLL310IQ-3 | FUJITSU | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| FLL310IQ-3A | EUDYNA | High Voltage - High Power GaAs FET |
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| FLL351ME | FUJITSU | L-band medium & high power gaas FTEs |
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| FLL357ME | EUDYNA | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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| FLL400IK-2 | EUDYNA | High Voltage - High Power GaAs FET |
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