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FLL21E090IY

更新时间： 2024-01-17 11:02:33
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EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
L,S-band High Power GaAs FET

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FLL21E090IY 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：28 V
FET 技术：JUNCTION最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL21E090IY 数据手册

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FLL21E090IY  
L,S-band High Power GaAs FET  
FEATURES  
・High Voltage Operation (VDS=28V) GaAs FET  
・High Gain: 15.5dB(typ.) at Pout=43dBm(Avg.)  
・Broad Frequency Range : 2110 to 2170MHz  
・High Reliability  
DESCRIPTION  
The FLL21E090IY is a high power GaAs FET that offers high efficiency,  
ease of matching, greater consistency and broad bandwidth for high  
power L-band amplifiers. This device is targeted for high voltage, low  
current operation in digitally modulated base station amplifiers. This  
product is ideally suited for W-CDMA and Multi-carrier PCS base station  
amplifiers while offering high gain, long term reliability and ease of use.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING  
Rating  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
VDS  
VGS  
PT  
Tstg  
Tch  
32  
-3  
134  
V
V
W
oC  
oC  
o
C
T =25 C  
(Case Temperature)  
-
-
65 to +175  
200  
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (Case Temperature Tc=25oC)  
Limit  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
DC Input Voltage  
VDS  
IGF  
IGR  
Tch  
<28  
<352  
>-31  
155  
V
R =2  
Ω
Forward Gate Current  
Reverse Gate Current  
Channel Temperature  
mA  
mA  
oC  
G
R =2  
G
Ω
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25oC)  
Limit  
Min. Typ. Max.  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Pinch-Off Voltage  
VP  
VDS=5V, IDS=151mA  
-0.1  
-5  
-
14.5 15.5  
-
-0.2  
-
-33  
-0.5  
V
V
dBc  
dB  
%
Gate-Source Breakdown Voltage  
3rd Order Intermodulation Distortion  
Power Gain  
VGSO IGS=-1.51mA  
IM3  
GP  
-
-30  
-
-
-
1.3  
VDS=28V  
IDS(DC)=750mA  
Pout=43dBm(Avg.)  
Note 1  
Drain Efficiency  
η
26  
-35  
1.1  
D
Adjacent Channel Leakage Power Ratio  
ACLR  
Rth  
-
-
dBc  
oC/W  
Themal Resistance  
Channel to Case  
Note 1 : IM3, ACLR and Gain test conditions as follows  
IM3 & Gain : f0=2.1325GHz, f1=2.1475GHz W-CDMA(3GPP3.4 12-0) BS-1 64ch non clipping modulation measured over 3.84MHz at f0-15MHz and f1+15MHz.  
ACLR : f0=2.1325GHz W-CDMA (3GPP3.4 12-00) BS-1 64ch non clipping modulation, measured over 3.84MHz at f0+/-5MHz  
III  
ESD  
CLASS  
2000V ~  
Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5k  
)
Ω
CASE STYLE : IY  
Edition 1.1  
June 2004  
1
1234567

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