Datasheet > FLL21E090IY

FLL21E090IY

更新时间： 2024-02-27 12:12:11

品牌	Logo	应用领域
EUDYNA		晶体晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
7页	298K
描述
L,S-band High Power GaAs FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FLL21E090IY 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	28 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLL21E090IY 数据手册

FLL21E090IY

L,S-band High Power GaAs FET

Output Power & Drain Efficiency vs. Input Power

VDS=28V, IDS=750mA, f=2.14GHz

Output Power vs. Frequency

VDS=28V, IDS=750mA

100

Pout

2.08

2.1

2.12

2.14

2.16

2.18

2.2

Frequency [GHz]

20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40

Input Power [dBm]

Pin=22dBm

Pin=34dBm

Pin=26dBm

Pin=38dBm

Pin=30dBm

Single-Carrier ACLR vs. Output Power

VDS=28V IDS=750mA fo=2.1325GHz

W-CDMA 3GPP BS-1 64ch Modulation

Two-Carrier IMD(ACLR) vs. Output Power

VDS=28V IDS=750mA fo=2.1325, f1=2.1475GHz

W-CDMA 3-GPP BS-1 64ch Modulation

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

-25

-30

-35

-40

-45

-50

-55

-60

26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46

Output Power[dBm]

IM3

IM5

Drain Efficiency

+/-5MHz

+/-10MHz

Drain Efficiency

123 4 5 6 7

下载PDF

与FLL21E090IY相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FLL21E135IX	EUDYNA	L,S-band High Power GaAs FET	获取价格
FLL21E180IU	EUDYNA	High Voltage - High Power GaAs FET	获取价格
FLL2400IU-2C	FUJITSU	L-Band High Power GaAs FET	获取价格
FLL300IL-1	EUDYNA	L-Band Medium & High Power GaAs FET	获取价格
FLL300IL-2	EUDYNA	L-Band Medium & High Power GaAs FET	获取价格
FLL300IL-3	EUDYNA	L-Band Medium & High Power GaAs FET	获取价格