5秒后页面跳转
FLL21E090IY PDF预览

FLL21E090IY

更新时间: 2024-02-19 17:47:09
品牌 Logo 应用领域
EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 298K
描述
L,S-band High Power GaAs FET

FLL21E090IY 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.21
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:28 V
FET 技术:JUNCTION最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

FLL21E090IY 数据手册

 浏览型号FLL21E090IY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FLL21E090IY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FLL21E090IY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FLL21E090IY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FLL21E090IY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FLL21E090IY的Datasheet PDF文件第7页 
FLL21E090IY  
L,S-band High Power GaAs FET  
IY Package Outline  
9.98  
R1.524  
4.826  
9.779  
4.826  
3.251  
12.7  
0.152  
1.575  
29.50  
34.036  
Unit : mm  
6

与FLL21E090IY相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
FLL21E135IX EUDYNA L,S-band High Power GaAs FET

获取价格

FLL21E180IU EUDYNA High Voltage - High Power GaAs FET

获取价格

FLL2400IU-2C FUJITSU L-Band High Power GaAs FET

获取价格

FLL300IL-1 EUDYNA L-Band Medium & High Power GaAs FET

获取价格

FLL300IL-2 EUDYNA L-Band Medium & High Power GaAs FET

获取价格

FLL300IL-3 EUDYNA L-Band Medium & High Power GaAs FET

获取价格