FDT434P_NL

更新时间： 2024-11-08 13:07:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	245K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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FDT434P_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-223	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDT434P_NL 数据手册

January 2000

FDT434P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced

• –5.5 A, –20 V. R_DS(ON)= 0.050 Ω @ V_GS= –4.5 V

R_DS(ON)= 0.070 Ω @ V_GS= –2.5 V.

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

low gate charge for superior switching performance.

• Low gate charge (13nC typical)

• High performance trench technology for extremely

Applications

low R_DS(ON)

• Low Dropout Regulator

• DC/DC converter

• Load switch

• High power and current handling capability in a

widely used surface mount package.

• Motor driving

SOT-223*

(J23Z)

SOT-223

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–20

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±8

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–6

–30

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.3

(Note 1c)

1.1

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

434

FDT434P

13’’

12mm

2500 units

FDT434P Rev. C1 (W)

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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FDT434P_NL 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDT434P	ONSEMI	功能相似	P 沟道，2.5V 指定，PowerTrench™ MOSFET，-20V，-5.5A，5
FDT434P	FAIRCHILD	功能相似	P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与FDT434P_NL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDT434PJ23ZD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDT439N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel 2.5V Specified EnhancementMode Field Effect Transistor
FDT439N	ONSEMI	获取价格	N 沟道，2.5V指定增强型场效应晶体管，30V，6.3A，45mΩ
FDT439N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT439ND84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT439NJ23Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT439NL99Z	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDT439NS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDT457N	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDT457N	ONSEMI	获取价格	N 沟道增强型场效应晶体管 30V，5A，60mΩ

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