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FDPF18N50T PDF预览

FDPF18N50T

更新时间： 2024-02-07 05:40:26
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 371K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN

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FDPF18N50T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.87
雪崩能效等级（Eas）：945 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.265 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：38.5 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDPF18N50T 数据手册

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April 2007  
TM  
UniFET  
FDP18N50 / FDPF18N50  
500V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
18A, 500V, RDS(on) = 0.265Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 45 nC)  
Low Crss ( typical 25 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
S
TO-220  
G
G D  
S
D S  
FDP Series  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP18N50 FDPF18N50  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
500  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
18  
10.8  
18 *  
10.8 ∗  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
72  
72 ∗  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
±30  
945  
18  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
23.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
235  
1.88  
38.5  
0.3  
W
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP18N50 FDPF18N50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.53  
0.5  
3.3  
--  
RθCS  
RθJA  
62.5  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP18N50 / FDPF18N50 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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FDPF18N50T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQPF18N50V2SDTU FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQPF18N50V2 FAIRCHILD

类似代替

 500V N-Channel MOSFET
STP15NK50ZFP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PA

与FDPF18N50T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF190N15A FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 27.4A, 1
FDPF190N15A ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，27.4A，19mΩ
FDPF19N40 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 400V, 19A, 0.24Ω
FDPF20N50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FDPF20N50 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-2
FDPF20N50F FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDPF20N50FT FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel UniFETTM FRFET® MOSFET 500 V, 20 A
FDPF20N50FT ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，20 A，260
FDPF20N50T FAIRCHILD

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 		Power Factor Correction Converter Design
FDPF20N50T ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，20A，230 mΩ，TO-2

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