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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQPF18N50V2
FQPF18N50V2 PDF预览

FQPF18N50V2

更新时间： 2024-11-15 22:51:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 839K
描述
500V N-Channel MOSFET

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FQPF18N50V2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.28
雪崩能效等级（Eas）：330 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A最大漏极电流 (ID)：18 A
最大漏源导通电阻：0.265 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：69 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQPF18N50V2 数据手册

 浏览型号FQPF18N50V2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQPF18N50V2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQPF18N50V2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQPF18N50V2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQPF18N50V2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQPF18N50V2的Datasheet PDF文件第7页 
TM  
QFET  
FQP18N50V2/FQPF18N50V2  
500V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficient switched mode power supplies,  
active power factor correction, electronic lamp ballast  
based on half bridge topology.  
•
•
•
•
•
•
18A, 500V, R  
= 0.265Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 42 nC)  
Low Crss ( typical 11 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-220F  
FQPF Series  
TO-220  
FQP Series  
G D  
S
G
D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP18N50V2 FQPF18N50V2  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
500  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
18  
12.1  
72  
18  
12.1  
72  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
330  
18  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
25  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
208  
69  
D
C
- Derate above 25°C  
1.67  
0.55  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP18N50V2 FQPF18N50V2  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
0.6  
0.5  
1.8  
--  
θJC  
θCS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
62.5  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, August 2002  
1234567...10

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FQPF18N50V2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDPF18N50T FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQPF18N50V2SDTU FAIRCHILD

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
STP15NK50ZFP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PA

与FQPF18N50V2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQPF18N50V2SDTU ROCHESTER

获取价格

 		18A, 500V, 0.265ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
FQPF18N50V2SDTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQPF19N10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V N-Channel MOSFET
FQPF19N10 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，QFET® MOSFET，100V，13.6A，100mΩ
FQPF19N10L FAIRCHILD

获取价格

 		100V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF19N20 FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQPF19N20 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，11.8 A，150 mΩ，TO-2
FQPF19N20C FAIRCHILD

获取价格

 		200V N-Channel MOSFET
FQPF19N20C ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220
FQPF19N20L FAIRCHILD

获取价格

 		200V LOGIC N-Channel MOSFET

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