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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.31 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 330 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.265 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF19N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQPF19N10 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，100V，13.6A，100mΩ |
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| FQPF19N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQPF19N20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQPF19N20 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，11.8 A，150 mΩ，TO-2 |
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| FQPF19N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQPF19N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220 |
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| FQPF19N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQPF1N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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