5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.9 A | 最大漏源导通电阻： | 9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 16 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3.6 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
|
| FQPF20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF20N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，15 A，60 mΩ，TO-220F |
|
| FQPF20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQPF20N06L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET 60V，15.7A，52mΩ 功率 MOSFET，N |
|
| FQPF22N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF22N30 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，300V，12A，160mΩ |
|
| FQPF22P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET |
|
| FQPF22P10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-13.2 A，125 mΩ，TO |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
