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FQPF20N06 PDF预览

FQPF20N06

更新时间： 2024-09-28 22:51:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 656K
描述
60V N-Channel MOSFET

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FQPF20N06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：3.76
雪崩能效等级（Eas）：155 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FQPF20N06 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQPF20N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
15A, 60V, R  
= 0.06Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 11.5 nC)  
Low Crss ( typical 25 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
G D  
S
TO-220F  
FQPF Series  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQPF20N06  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
15  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
10.7  
60  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
155  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
15  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
3.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
30  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.2  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +175  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
5.00  
62.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
--  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

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FQPF20N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQPF20N06L ONSEMI

功能相似

 N 沟道，QFET® MOSFET 60V，15.7A，52mΩ 功率 MOSFET，N
FQPF20N06 ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，15 A，60 mΩ，TO-220F
STP36NF06FP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.032 - 30A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET

与FQPF20N06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQPF20N06L FAIRCHILD

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 		60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQPF20N06L ONSEMI

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 		N 沟道，QFET® MOSFET 60V，15.7A，52mΩ 功率 MOSFET，N
FQPF22N30 FAIRCHILD

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 		300V N-Channel MOSFET
FQPF22N30 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，QFET® MOSFET，300V，12A，160mΩ
FQPF22P10 FAIRCHILD

获取价格

 		100V P-Channel MOSFET
FQPF22P10 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-13.2 A，125 mΩ，TO
FQPF24N08 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-220F
FQPF26N03L ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220F
FQPF27N25 FAIRCHILD

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 		250V N-Channel MOSFET
FQPF27N25 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，250 V，14 A，110 mΩ，TO-220

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