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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.27 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.34 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.34 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.36 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF30N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQPF30N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQPF30N06L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，22.5 A，52 mΩ，T |
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| FQPF30N06L_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| FQPF32N12V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V N-Channel MOSFET |
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| FQPF32N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF32N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，28 A，82 mΩ，TO-220 |
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| FQPF33N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET |
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| FQPF33N10 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，18 A，52 mΩ，TO-220F |
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| FQPF33N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET |
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