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FQPF33N10

更新时间： 2024-11-05 22:13:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 593K
描述
100V N-Channel MOSFET

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FQPF33N10 数据手册

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April 2000  
TM  
QFET  
FQPF33N10  
100V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as audio amplifier,  
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor  
control.  
•
•
•
•
•
•
•
18A, 100V, R  
= 0.052Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 38 nC)  
Low Crss ( typical 62 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
G
!
"
G D  
S
TO-220F  
FQPF Series  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
ꢀꢀ  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQPF33N10  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
100  
18  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
12.7  
72  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
±ꢀ25  
430  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
18  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.1  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
6.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
41  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.27  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8ꢀ from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.70  
62.5  
Units  
°CꢁW  
°CꢁW  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θ
θ
JC  
JA  
--  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, April 2000  
12345678

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FQPF33N10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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FQPF3N40 FAIRCHILD

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 		400V N-Channel MOSFET
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获取价格

 		500V N-Channel MOSFET
FQPF3N50C_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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