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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQPF45N15V2_NL
FQPF45N15V2_NL PDF预览

FQPF45N15V2_NL

更新时间： 2024-09-16 13:07:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 928K
描述
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 150V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN

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FQPF45N15V2_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1124 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.04 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQPF45N15V2_NL 数据手册

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®
QFET  
FQP45N15V2/FQPF45N15V2  
150V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
•
•
•
•
•
•
45A, 150V, R  
= 0.04Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 72 nC)  
Low Crss ( typical 135 pF)  
Fast switching  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for DC to DC converters, sychronous rectification,  
and other applications lowest Rds(on) is required.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
!
G
TO-220F  
FQPF  
TO-220  
G D  
S
G
D S  
!
S
FQP  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP45N15V2 FQPF45N15V2  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
150  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
45  
31  
45 *  
31 *  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
180  
180 *  
A
DM  
V
E
I
E
dv/dt  
P
Gate-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
± 30  
1124  
45  
22  
4.5  
V
mJ  
A
mJ  
V/ns  
W
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
AR  
Power Dissipation (T = 25°C)  
220  
66  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
1.47  
0.44  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
300  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
* Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FQP45N15V2 FQPF45N15V2  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.68  
0.5  
2.25  
--  
θJC  
θCS  
62.5  
62.5  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2004  
1234567...10

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与FQPF45N15V2_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQPF46N15 FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET
FQPF47P06 FAIRCHILD

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FQPF47P06 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-30 A，26 mΩ，TO-220
FQPF47P06YDTU FAIRCHILD

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