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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 60 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 32 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF5N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N40 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 400V, 3.0A, 1.6Ω |
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| FQPF5N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N50C | ONSEMI |
获取价格 |
500V N-Channel Advance QFET® C-Series, TO-220F 3L, 1000-RAIL |
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| FQPF5N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF5N50CFTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low gate charge ( typical 18nC) |
|
| FQPF5N50CFTU_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQPF5N50CT | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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