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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQPF50N06
FQPF50N06 PDF预览

FQPF50N06

更新时间： 2024-11-24 22:51:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 632K
描述
60V N-Channel MOSFET

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FQPF50N06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.58
雪崩能效等级（Eas）：495 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：31 A最大漏极电流 (ID)：31 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：47 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：124 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FQPF50N06 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQPF50N06  
60V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
•
•
31A, 60V, R  
= 0.022Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 31 nC)  
Low Crss ( typical 65 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
175°C maximum junction temperature rating  
D
!
"
! "  
"
!
G
"
G D  
S
TO-220F  
FQPF Series  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQPF50N06  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
31  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
21.9  
124  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 25  
495  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
31  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
4.7  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
47  
D
C
- Derate above 25°C  
0.31  
-55 to +175  
W/°C  
°C  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8" from case for 5 seconds  
J
STG  
T
300  
°C  
L
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
3.22  
62.5  
Units  
°C/W  
°C/W  
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
--  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1. May 2001  
12345678

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FQPF50N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STB55NF06T4 STMICROELECTRONICS

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