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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 170 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 7.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 5.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STP6NK90Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-CHANNEL 900V - 1.56ohm - 5.8A TO-220/TO-220 |
|
| SPP08N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| SPA04N80C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF2NA90 | FAIRCHILD |
获取价格 |
900V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2P25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
250V P-Channel MOSFET |
|
| FQPF2P40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V P-Channel MOSFET |
|
| FQPF30N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF30N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQPF30N06L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，22.5 A，52 mΩ，T |
|
| FQPF30N06L_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| FQPF32N12V2 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF32N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF32N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 200 V，28 A，82 mΩ，TO-220 |
|
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