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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.94 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 560 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 17 A | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 47 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF28N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2N40 | FAIRCHILD |
获取价格 |
400V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2N60 | KERSEMI |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF2N60C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2 A，4.7 Ω，TO-220F |
|
| FQPF2N60C-F105 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
|
| FQPF2N70 | FAIRCHILD |
获取价格 |
700V N-Channel MOSFET |
|
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