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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| RFP12N10L | FAIRCHILD |
类似代替  |
12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET |
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| STF20NF20 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 200V - 0.10ヘ -18A- DPAK/TO-220/TO-2 |
|
| STW20NK50Z | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247 |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF19N20C | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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| FQPF19N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，200 V，19 A，170 mΩ，TO-220 |
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| FQPF19N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQPF1N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET |
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| FQPF20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQPF20N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，15 A，60 mΩ，TO-220F |
|
| FQPF20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQPF20N06L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET 60V，15.7A，52mΩ 功率 MOSFET，N |
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