是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 433 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 19 A |
最大漏极电流 (ID): | 19 A | 最大漏源导通电阻: | 0.17 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 43 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD60NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET | |
STD18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P | |
STD6N95K5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protect |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF19N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF1N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
FQPF1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET | |
FQPF1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET | |
FQPF20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET | |
FQPF20N06 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 60 V,15 A,60 mΩ,TO-220F | |
FQPF20N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF20N06L | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,QFET® MOSFET 60V,15.7A,52mΩ 功率 MOSFET,N | |
FQPF22N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET | |
FQPF22N30 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道,QFET® MOSFET,300V,12A,160mΩ |