是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-220F |
包装说明: | TO-220F, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 4.44 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 220 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 13.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 13.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 38 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 54.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Powers |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STD18N55M5 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh⢠V P | |
STP120NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET | |
STP80NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF19N10L | FAIRCHILD |
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100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF19N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQPF19N20 | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,11.8 A,150 mΩ,TO-2 | |
FQPF19N20C | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
FQPF19N20C | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,19 A,170 mΩ,TO-220 | |
FQPF19N20L | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF1N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
FQPF1N60 | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET | |
FQPF1P50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V P-Channel MOSFET | |
FQPF20N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |