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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDPF2710T
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FDPF2710T

更新时间： 2024-02-08 07:16:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 494K
描述
250V N-Channel PowerTrench MOSFET

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FDPF2710T 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.97
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：145 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.0425 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDPF2710T 数据手册

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September 2007  
FDPF2710T  
250V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semicon-  
ductor’s advanced PowerTrench process that has been espe-  
cially tailored to minimize the on-state resistance and yet  
maintain superior switching performance.  
•
•
•
•
•
25A, 250V, RDS(on) = 36.3mΩ @VGS = 10 V  
Fast switching speed  
Low gate charge  
High performance trench technology for extremely low RDS(on)  
High power and current handling capability  
Application  
•
Ballast Application  
D
G
G D  
S
TO-220F  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
250  
Unit  
VDS  
VGS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source voltage  
Drain Current  
V
V
± 30  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
25  
18.8  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 3)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
A
100  
145  
4.5  
EAS  
dv/dt  
PD  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
62.5  
0.5  
W
W/°C  
T
J, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
2.0  
Unit  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDPF2710T Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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