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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.98 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2055 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | 最大漏极电流 (ID)： | 44 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.069 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 56 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 176 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF44N25TRDTU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 500V, 18A, 265mΩ |
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| FDPF4D5N10C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，128A，4.5mΩ |
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| FDPF4N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ω |
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| FDPF4N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，3.8 A，2.5 Ω， |
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| FDPF51N25 | FAIRCHILD |
获取价格 |
FDPF51N25 |
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| FDPF51N25 | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250V，51A，60mΩ，TO-220F |
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| FDPF51N25RDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| FDPF51N25RDTU | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM MOSFET 250 V，51 A，60 mΩ |
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| FDPF51N25YDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM MOSFET 250V, 51A, 60mΩ, TO220, MOLDED, 3LD, FULL PACK, EIAJ S |
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| FDPF51N25YDTU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，250V，51A，60mΩ，TO-220F |
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