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FDPF5N50FT_12

更新时间： 2024-11-18 12:23:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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10页 466K
描述
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55Ω

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May 2012  
UniFETTM  
tm  
FDP5N50F / FDPF5N50FT  
N-Channel MOSFET, FRFET  
500V, 4.5A, 1.55Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 1.25Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.25A  
Low gate charge ( Typ. 11nC)  
Low Crss ( Typ. 5pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pluse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power suppliesand active power factor-  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D S  
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP5N50F FDPF5N50FT Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
4.5  
2.7  
18  
4.5*  
2.7*  
18*  
ID  
Drain Current  
A
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
233  
4.5  
8.5  
4.5  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
85  
28  
PD  
Power Dissipation  
0.67  
0.22  
W/oC  
oC  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP5N50F FDPF5N50FT  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.4  
0.5  
4.5  
-
Thermal Resistance, Case to Sink Typ.  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP5N50F / FDPF5N50FT Rev. C1  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF5N50NZ FAIRCHILD

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