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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 270 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 1.15 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 38.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF7N50U | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FDPF7N50U_G | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDPF7N50U-G | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM， 500 V， |
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| FDPF7N60NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 600V, 6.5A, 1.25ï |
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| FDPF7N60NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25Ω， |
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| FDPF7N60NZT | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FDPF7N60NZT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25Ω， |
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| FDPF8D5N10C | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，76A，8.5mΩ |
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| FDPF8N50NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDPF8N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，8 A，850 mΩ，T |
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