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FDPF7N50F

更新时间： 2024-09-26 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 545K
描述
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 6A, 1.15OHM

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FDPF7N50F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.81
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：270 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDPF7N50F 数据手册

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November 2007  
UniFETTM  
FDP7N50F / FDPF7N50F  
tm  
N-Channel MOSFET, FRFET  
500V, 6A, 1.15Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 0.95Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 3A  
Low gate charge ( Typ. 15nC)  
Low Crss ( Typ. 6.3pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advance technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switching mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
RoHS compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
S
TO-220  
FDP Series  
G D  
S
G
D S  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP7N50F  
FDPF7N50F  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
500  
±30  
V
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
6
6*  
ID  
Drain Current  
A
3.6  
24  
3.6*  
24*  
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
270  
6
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
20  
4.5  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
200  
38.5  
0.3  
PD  
Power Dissipation  
1.59  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Case  
FDP7N50F  
FDPF7N50F  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
1.4  
0.5  
4.0  
-
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP7N50F / FDPF7N50F Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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与FDPF7N50F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF7N50U FAIRCHILD

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 		500V N-Channel MOSFET
FDPF7N50U_G FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDPF7N50U-G ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM， 500 V，
FDPF7N60NZ FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 600V, 6.5A, 1.25
FDPF7N60NZ ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25Ω，
FDPF7N60NZT FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
FDPF7N60NZT ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25Ω，
FDPF8D5N10C ONSEMI

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 		N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，76A，8.5mΩ
FDPF8N50NZ FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDPF8N50NZ ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，8 A，850 mΩ，T

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