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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 93 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF8N50NZT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFET II MOSFET |
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| FDPF8N50NZU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDPF8N50NZU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，Ultra FRFETTM，500 |
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| FDPF8N60ZUT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 600V, 6.5A, 1.35Ω |
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| FDPF8N60ZUT | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，Ultra FRFETTM，600 V，6 |
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| FDPS09H04A_F085A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Supply Support Circuit, Fixed, 1 Channel, PSFM7, ROHS COMPLIANT, TO220-7 |
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| FDQ 1.8V | DIODES |
获取价格 |
1.8V, 5.0x3.2mm, Automotive Grade CMOS Crystal Oscillator |
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| FDQ 2.5V | DIODES |
获取价格 |
2.5V, 5.0x3.2mm, Automotive Grade CMOS Crystal Oscillator |
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| FDQ 3.3V | DIODES |
获取价格 |
3.3V, 5.0x3.2mm, Automotive Grade CMOS Crystal Oscillator |
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| FDQ4006N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 13A I(D) | SO |
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