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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDPF5N60NZ
FDPF5N60NZ PDF预览

FDPF5N60NZ

更新时间： 2024-11-21 12:23:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 344K
描述
N-Channel MOSFET 600V, 4.5A, 2.0Ω

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FDPF5N60NZ 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220F
包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：4.46
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：175 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A
最大漏极电流 (ID)：4.5 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDPF5N60NZ 数据手册

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March 2011  
UniFET-IITM  
FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ  
N-Channel MOSFET  
600V, 4.5A, 2.0Ω  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
•
•
RDS(on) = 1.65Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 2.25A  
Low Gate Charge ( Typ. 10nC)  
Low Crss ( Typ. 5pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast Switching  
100% Avalanche Tested  
Improved dv/dt Capability  
ESD Improved Capability  
RoHS Compliant  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
(potting)  
TO-220  
FDP Series  
G
S
D
G D S  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FDP5N60NZ  
FDPF5N60NZ  
600  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
±25  
- Continuous (TC = 25oC)  
- Continuous (TC = 100oC)  
- Pulsed  
4.5  
2.7  
18  
4.5*  
2.7*  
18*  
ID  
Drain Current  
A
IDM  
Drain Current  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
175  
4.5  
10  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
10  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
100  
0.8  
33  
PD  
Power Dissipation  
0.27  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
oC  
*Dran current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Units  
FDP5N60NZ  
1.25  
FDPF5N60NZ  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Case to Sink Typ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
3.75  
-
RθCS  
RθJA  
0.5  
oC/W  
62.5  
62.5  
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP5N60NZ / FDPF5N60NZ Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567...10

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FDPF5N60NZ 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQPF6N60C FAIRCHILD

类似代替

 600V N-Channel MOSFET
STP4NK60ZFP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D

与FDPF5N60NZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDPF680N10T FAIRCHILD

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FDPF680N10T ONSEMI

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FDPF6N60ZUT FAIRCHILD

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FDPF6N60ZUT ONSEMI

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