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FDPF79N15

更新时间： 2024-01-17 21:57:56
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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10页 1295K
描述
150V N-Channel MOSFET

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FDPF79N15 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.39
其他特性：FAST SWITCHING雪崩能效等级（Eas）：1669 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：79 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：NOT APPLICABLE
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：316 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDPF79N15 数据手册

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May 2006  
TM  
UniFET  
FDP79N15 / FDPF79N15  
150V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
79A, 150V, RDS(on) = 0.03Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 56 nC)  
Low Crss ( typical 96pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
D
G
TO-220F  
FDPF Series  
TO-220  
FDP Series  
G D  
S
G
D S  
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDP79N15 FDPF79N15  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
150  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
79  
50  
79*  
50*  
A
A
(Note 1)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
A
316  
316*  
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
± 30  
1669  
79  
V
mJ  
A
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
46.3  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
463  
3.7  
31  
0.25  
W
W/°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
FDP79N15 FDPF79N15  
Unit  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
0.27  
62.5  
--  
62.5  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP79N15 / FDPF79N15 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
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FDPF79N15 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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