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FDA79N15

更新时间： 2024-02-21 02:47:10
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 846K
描述
150V N-Channel MOSFET

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FDA79N15 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：1669 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：79 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：316 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDA79N15 数据手册

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UniFETTM  
FDA79N15  
150V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
79A, 150V, RDS(on) = 0.03Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 56 nC)  
Low Crss ( typical 96 pF)  
Fast switching  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
z
ꢀ ꢁ  
z
z
G {  
{
TO-3P  
S
FDA Series  
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
FDA79N15  
Unit  
V
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
150  
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
79  
50  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
316  
±30  
1669  
79  
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
41.7  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
- Derate above 25°C  
417  
3.3  
W
W/°C  
T
J, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Min.  
Max.  
0.3  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
--  
0.24  
--  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
40  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDA79N15 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FDA79N15 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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