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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 4.47 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 233 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 18 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDPF5N50FT_12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 4.5A, 1.55Ω |
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| FDPF5N50NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDPF5N50NZ | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，500 V，4.5 A，1.5 Ω， |
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| FDPF5N50NZF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET 500V, 4.2A, 1.75Ω |
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| FDPF5N50NZF | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 UniFETTM II FRFET® MOSFET 500V，4.2A，1.75 |
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| FDPF5N50NZU | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFETï |
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| FDPF5N50NZU | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，Ultra FRFETTM，500 |
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| FDPF5N50T | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FDPF5N50T | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，5 A，1.4 Ω，TO-22 |
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| FDPF5N50UT | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel MOSFET, FRFET |
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